Установка реализована на базе вакуумного модуля загрузки-выгрузки, в который установлены:

      • Индуктивный источник плазмы

• Откачная система

• Газовая система

• Система окончания процесса

• Система управления с сенсорным экраном

• Электрическая система с резервным источником питания

• Манипулятор для переноса пластины в технологическую область

• Роботизированный модуль кассетной загрузки-выгрузки (опционально)

В ICP источнике плазма генерируется в отдельном устройстве, имеющем свою разрядную камеру с компактной геометрией. Разрядная камера из алюмооксидной керамики позволяет работать как с кислородной, так и с фторсодержащей или водородной плазмой. За счет протяженной конструкции индуктора обеспечиваются оптимальные условия для разряда и эффективной диссоциации подаваемого газа при больших протоках. Активированная газовая смесь подается в технологическую камеру, где располагается обрабатываемая пластина.

Схема технологического реактора с удаленной плазмой

Пластина размещается на нагревательном столике с температурой нагрева от 70 до 320 °С. Вертикальное перемещение столика позволяет задавать высоту расположения пластины во время обработки. Дополнительно пластина может приподниматься над столиком пинами для обработки края и обратной стороны подложки в целях очистки от остаточных загрязнений.

Рабочие газы подаются через генератор индуктивно-связанной плазмы, затем через экран-рассекатель для точной настройки равномерности травления. Откачка ведется из нижней части реактора, обеспечивая стабильность и равномерность процесса. Управление ведется по газонезависимому емкостному датчику давления. В линии откачки размещен газоанализатор на базе быстродействующего спектрометра, показания которого используются для определения момента окончания травления, что позволяет повысить производительность и сократить время воздействия на открытые полупроводниковые структуры после удаления фоторезиста.

Технологии и параметры